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超星学习通集成电路制造工艺作业答案 (3)

集成电路制造工艺

学校: 无

问题 1: 1. 世界上第一只晶体管是采用什么材料做成的?

选项:

A. 硅

B. 锗

C. 砷化镓

D. 氮化镓

答案: 锗

问题 2: 2. 为表彰他为现代信息技术所做出的基础性贡献,2000年度的诺贝尔物理学奖授予发明了世界上第一个集成电路的美国科学家,他是:

选项:

A. 威廉·肖克莱

B. 沃尔特·布拉顿

C. 杰克·基尔比

D. 戈登·摩尔

答案: 杰克·基尔比

问题 3: 3. 在现代集成电路制造工艺中,先进的制造工艺技术常常采用8英寸的硅片或12英寸的晶圆。其中,晶圆尺寸主要指的是硅片的

选项:

A. 面积

B. 半径

C. 圆周周长

D. 直径

答案: 直径

问题 4: 4. 集成电路按照功能可以分为:

选项:

A. 双极型集成电路、MOS集成电路

B. 数模混合集成电路

C. 数字集成电路

D. 模拟集成电路

答案: 数模混合集成电路

问题 5: 5. 工艺上可以实现的最小线宽,通常用于衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度,该参数是:

选项:

答案: 特征尺寸

问题 6: 6. 集成电路的集成度越高,特征尺寸越小,对洁净度的要求越高。

选项:

答案: 正确

问题 7: 1. 双极集成电路常常采用何种方式进行隔离?

选项:

A. PN结隔离

B. 绝缘介质隔离

C. 二氧化硅隔离

D. 氮化硅隔离

答案: 请关注公众号【九八五题库】查看答案

问题 8: 2. MOS管中常用作栅的材料是:

选项:

A. SiO2

B. Al

C. 多晶硅

D. Si3N4

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问题 9: 3. 基区光刻的作用是:

选项:

A. 形成P型区

B. 形成N型区

C. 为基区扩散刻出窗口

D. 形成电极

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问题 10: 4. 在MOS集成电路中常常用到的隔离方式是:

选项:

A. PN结隔离

B. 绝缘介质隔离

C. 多晶硅隔离

D. 氮化硅隔离

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问题 11: 5. 在MOS管制作过程中,淀积氮化硅之前经常要先制作一层薄氧,作用是:

选项:

A. 作为栅氧

B. 作为场氧

C. 增强氮化硅与衬底硅的粘附性

D. 隔离

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问题 12: 6. 集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是:

选项:

A. 二氧化硅

B. 氮化硅

C. 多晶硅

D. 单晶硅

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问题 13: 7. 在双极集成电路中制作埋层的作用是:

选项:

A. 减小掺杂浓度

B. 抑制寄生效应

C. 减小集电极的串联电阻,降低饱和压降

D. 降低器件尺寸

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问题 14: 8. 集成电路的制造工艺,需要采用隔离技术,常见的隔离方法有:

选项:

A. 外延隔离

B. 埋层隔离

C. PN结隔离

D. 介质隔离

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问题 15: 9. PN结隔离扩散时,必须要穿透整个外延层。

选项:

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问题 16: 10. PN结隔离采用一般P+区域,且隔离区必须加最高电位。

选项:

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问题 17: 1. 每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000,那么该环境的洁净等级为:

选项:

A. 10级

B. 100级

C. 1000级

D. 10000级

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问题 18: 2. 洁净室内常见的洁净设备包括:

选项:

A. 风淋

B. 静电自净器

C. 真空除尘器

D. 洁净台

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问题 19: 3. 过滤器根据过滤效率一般可分为:

选项:

A. 粗过滤器

B. 中效过滤器

C. 亚高效过滤器

D. 高效过滤器

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问题 20: 4. 所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。

选项:

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问题 21: 5. 净化设备中最核心的是过滤器。

选项:

答案: 请关注公众号【九八五题库】查看答案

问题 22: 6. 对于洁净度高的要求利用高效过滤器,对于洁净度低的采用粗过滤器。

选项:

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问题 23: 7. 一般每立方英尺直径为0.1um颗粒数目称为洁净等级。

选项:

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问题 24: 8. 一般洁净室中都需要保持恒温恒湿,温度多为21.1~23.3℃,湿度一般为15%-50%。

选项:

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问题 25: 9. 空气过滤器应经常拆换清洗,以免因滤料上积尘太多而使房间室内空气洁净度达不到要求。

选项:

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问题 26: 1. 当前半导体材料 应用最广泛的是:

选项:

A. 硅

B. 锗

C. 砷化镓

D. 锗硅

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问题 27: 2. 半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。

选项:

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问题 28: 3. 硅的熔点比锗高,禁带宽度却比锗低。

选项:

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问题 29: 4. 砷化镓属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,易碎,需轻拿轻放。

选项:

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问题 30: 5. 电子迁移率比硅高6倍,多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。

选项:

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问题 31: 6. 碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。

选项:

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问题 32: 7. 硅的禁带宽度比锗大,所制作的器件比锗耐高温。

选项:

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问题 33: 1. 单晶硅形成时,必须要有一个排列标准,这个标准称为:

选项:

A. 杂质

B. 多晶硅

C. 籽晶

D. 单晶硅

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问题 34: 2. 由沙子到多晶硅的化学反应包括:

选项:

A. SiO2+C→S+CO

B. Si+HCl→SiHCl3

C. SiHC3+H2→Si+HCl

D. Si+Cl4→SiCl4

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问题 35: 3. 直拉法制备单晶时,单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有:

选项:

A. 温度

B. 气压

C. 提拉速度

D. 转速

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问题 36: 4. 目前制备硅单晶的方法有:

选项:

A. 直拉法

B. 液体掩盖直拉法

C. 悬浮区熔法

D. 精馏法

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问题 37: 5. 由沙子到多晶硅的过程中经常用到的提纯方法有:

选项:

A. 吸附法

B. 蒸馏法(精馏法)

C. 直拉法

D. 区熔法

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问题 38: 6. 晶胞按照一定的规则进行周期性排列的结构称为单晶。

选项:

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问题 39: 7. 直拉法与悬浮区熔法相比,悬浮区熔法拉制的单晶杂质更少一些。

选项:

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问题 40: 8. 剩余不多的多晶硅时,要提高温度和提拉速度,进行收尾拉光,否则容易引起坩埚的破裂。

选项:

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问题 41: 9. 切割单晶硅棒之前,需要在硅棒上做一个基准面(参考面),一般包括主参考面和第二参考面。

选项:

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问题 42: 1. 位错可以通过溶液腐蚀产生一定的图形,一般出现三角形的是哪种晶向结构的位错?

选项:

A. <111>

B. <100>

C. <110>

D. <010>

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问题 43: 2. 下列几种缺陷方式中,位错属于:

选项:

A. 点缺陷

B. 线缺陷

C. 面缺陷

D. 体缺陷

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问题 44: 3. 下列选项中,确定单晶硅棒的导电类型的方法是:

选项:

A. 热探针法

B. 四探针法

C. 光电导衰减法

D. 化学腐蚀法

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问题 45: 4. 下列选项中,能够测试单晶硅棒的电阻率的方法是:

选项:

A. 热探针法

B. 四探针法

C. 光电导衰减法

D. 化学腐蚀法

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问题 46: 5. 下列选项中,能够测试少数载流子寿命的方法是:

选项:

A. 热探针法

B. 四探针法

C. 光电导衰减法

D. 化学腐蚀法

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问题 47: 6. 下列选项中,能够测试方块电阻的方法是:

选项:

A. 热探针法

B. 四探针法

C. 光电导衰减法

D. 化学腐蚀法

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问题 48: 7. 利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角,使之变得光滑的工艺为:

选项:

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问题 49: 1. 利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角,使之变得光滑的工艺为:

选项:

A. 倒角

B. 磨片

C. 化学腐蚀

D. CMP

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问题 50: 2. 单晶硅形成时,必须要有一个排列标准,这个标准称为:

选项:

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问题 51: 3. 单晶硅棒变成硅片之前,首先需要将硅棒两段切除,然后进行径向研磨,做好整形。

选项:

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问题 52: 4. 直径大于300mm的硅棒通常采用内圆切割,而小于200mm的硅棒则采用线锯切割。

选项:

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问题 53: 5. 化学机械抛光常用的碱性抛光液为二氧化硅乳胶。

选项:

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问题 54: 6. 倒角是使得边缘更加圆滑的机械工艺,可采用化学抛光方式。

选项:

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问题 55: 7. 晶圆在发货之前要进行氧化,以保护晶圆表面、防止在输运过程中的划伤和污染。

选项:

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问题 56: 8. 切片之前必须采用光点定向法对单晶硅进行定晶向。

选项:

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问题 57: 9. 一般8in以上的硅片采用内圆切割,8in以下的硅片采用线锯切割。

选项:

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问题 58: 1. 兆声波清洗时常采用的超声频率为:

选项:

A. 850kHz

B. 85kHz

C. 8500Hz

D. 8500kHz

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问题 59: 2. 去除硅片表面的氧化层常常采用的清洗液是:

选项:

A. SC-1

B. SC-2

C. SC-3

D. DHF

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问题 60: 3. SC-1清洗液的成分是:

选项:

A. NH4OH

B. H2O2

C. H20

D. HCl

E. H2SO4

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问题 61: 4. DHF清洗液的成分是:

选项:

A. HF

B. H2O

C. NH4F

D. HCl

E. H2SO4

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问题 62: 5. 以下清洗液中,可以去除有机残余物的是:

选项:

A. SC-1

B. SC-2

C. SC-3

D. DHF

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问题 63: 6. 工艺用水中可能存在的污染物有:

选项:

A. 溶解性的矿物(Dissolved minerals)

B. 颗粒(Particulates)

C. 细菌(Bacteria)

D. 有机物(Organics)

E. 溶解氧(Dissolved oxygen)

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问题 64: 7. 硅片表面常见的沾污包括:

选项:

A. 颗粒

B. 有机残余物

C. 金属离子

D. 自然氧化层

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问题 65: 8. 静电荷从一个物体向另一个物体流动,不受控制,通常由摩擦产生的是过程是:

选项:

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问题 66: 9. 超声波清洗时常采用的超声范围是:20k-50kHz。

选项:

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问题 67: 10. 兆声波的清洗比普通超声波清洗频率更高输出能量密度更大。

选项:

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问题 68: 11. 常见的干法清洗有:等离子体清洗、气相清洗、UV/O3清洗等等。

选项:

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问题 69: 12. 干法清洗主要采用等离子体进行清洗,清洗效果比湿法清洗好,无污染。

选项:

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问题 70: 1. 半导体中工艺用水中超纯水的电阻率在25℃时要达到:

选项:

A. 18Ω.cm

B. 18kΩ.cm

C. 18MΩ.cm

D. 500MΩ.cm

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问题 71: 2. 以下方法中,属于纯水制备中常用的技术的是:

选项:

A. 离子交换技术

B. 反渗透技术

C. 电渗析技术

D. 电去离子技术

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问题 72: 3. 纯水制备中的RO装置是:

选项:

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问题 73: 1. 集成电路中常常用于插塞的金属是:

选项:

A. 铝

B. 铜

C. 钨

D. 钛

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问题 74: 2. 二氧化硅的作用包括:

选项:

A. surface passivation(表面钝化)

B. doping barrier(掺杂的掩蔽层)

C. surface dielectric(表面绝缘)

D. MOS gates oxide(栅氧)

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问题 75: 3. 二氧化硅作为选择性扩散掩蔽层的条件有:

选项:

A. 二氧化硅膜足够厚

B. 二氧化硅性质比较稳定

C. 杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数

D. 杂质扩散在二氧化硅中的扩散很快

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问题 76: 4. Si-O四面体,每个四面体硅和氧原子比例为:1:2。

选项:

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问题 77: 5. 结晶型的二氧化硅四面体有规则地排列,网络致密,例如:石英。

选项:

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问题 78: 6. 二氧化硅的性能比氮化硅更加稳定,击穿电压更高。

选项:

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问题 79: 7. 多晶硅不仅可以作为栅材料,还可以作为局部互连材料,例如栅的互连。

选项:

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问题 80: 1. 几种氧化方式中,得到的氧化膜质量最好的是:

选项:

A. 干氧氧化

B. 水汽氧化

C. 湿氧氧化

D. 氢氧合成氧化

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问题 81: 2. 以下几项中,热氧化生长速率影响因素中最大的是:

选项:

A. 温度

B. 压力

C. 掺杂

D. 晶向

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问题 82: 3. 要产生1000Å厚度的二氧化硅,需要消耗硅的厚度是:

选项:

A. 1000Å

B. 440Å

C. 560Å

D. 2200Å

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问题 83: 4. 在半导体生产中,常常采用的二氧化方式是干-湿-干氧化,湿氧氧化的作用是:

选项:

A. 较短的时间得到较厚的薄膜

B. 得到较好的表面特性

C. 较好的硅/二氧化硅界面特性

D. 提高氧化膜的质量

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问题 84: 5. 氧化反应始终发生在Si/SiO2的界面处。

选项:

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问题 85: 6. 掺氯氧化一般和干氧氧化同时进行。

选项:

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问题 86: 7. 氢氧合成氧化结束要用氮气排除废气,一定要把残留在炉内的气体排除干净。

选项:

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问题 87: 8. 温度与氧化速率成指数关系,但压力与氧化速率成线性关系。

选项:

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问题 88: 9. 利用硅烷制备多晶硅时,必须将硅烷进行稀释,否则会产生爆炸。

选项:

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问题 89: 10. 掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛,吸附钠离子。

选项:

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问题 90: 1. PECVD 的含义是:

选项:

A. 低压化学气相淀积

B. 常压化学气相淀积

C. 等离子体化学气相淀积

D. 光化学气相淀积

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问题 91: 2. MOCVD的含义:

选项:

A. 气相外延

B. 分子束外延

C. 金属有机物化学气相外延

D. 反外延

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问题 92: 1. 利用高能氩离子轰击靶材,靶材原子脱落,在硅片表面形成薄膜的过程称为:

选项:

A. 电阻丝加热蒸发

B. 电子束蒸发

C. 溅射

D. 刻蚀

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问题 93: 2. 下列选项中,属于溅射的工艺条件的为:

选项:

A. 溅射气体

B. 工作压力

C. 真空度

D. 溅射功率

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问题 94: 3. 直流溅射既可以溅射金属,又可以溅射绝缘介质。

选项:

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问题 95: 1. 气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质是:

选项:

A. HCl

B. Cl2

C. CCl4

D. SiCl4

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问题 96: 2. 在Wafer外延一层单晶硅,常用的外延技术是:

选项:

A. 气相外延VPE

B. 分子束外延MBE

C. 金属有机物CVD(MOCVD)

D. ALD原子层淀积

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问题 97: 3. VPE的含义是:

选项:

A. 气相外延

B. 分子束外延

C. 金属有机物化学气相外延

D. 正外延

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问题 98: 4. SiCl4的浓度越高,气相外延的生长速率越快。

选项:

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问题 99: 1. 工艺宽容度是指工艺范围比较宽,在晶圆表面达到所需要尺寸规范的可能性就越大。

选项:

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问题 100: 2. 影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是扩散。

选项:

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问题 101: 1. 曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。

选项:

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问题 102: 2. 通常只有某一波长范围的光线才能使光刻胶发生化学反应。

选项:

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问题 103: 3. PR的含义是光刻胶,又称光阻,主要作用是感光和抗腐蚀。

选项:

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问题 104: 1. 光刻胶不同,所用的显影液也不同

选项:

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问题 105: 2. 软烘不充分,会溶剂挥发不充分,影响光化学反应的发生;但软烘过度则会发生热交联、胶膜翘曲、胶膜碳化。

选项:

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问题 106: 3. 对准就是确定硅片上图形的位置、方向和变形的过程,利用这些数据与掩膜图形建立起正确的关系。

选项:

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问题 107: 4. 涂胶时,必须注意选择合适的环境湿度和温度。

选项:

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问题 108: 1. 在传统光刻机的光学镜头与晶圆之间的介质可用水替代空气,以缩短曝光光源波长和增大镜头的数值孔径,从而提高分辨率,这种光刻技术是:

选项:

A. 极紫外光光刻

B. 电子束光刻

C. 离子束光刻

D. 浸润式光刻

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问题 109: 2. 通过在光掩模的某些透明图形上增加或者减少一个透明的介质层,光波透过这个介质层之后产生180°的相位差,以此来提高光刻的分辨率的技术称为:

选项:

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问题 110: 1. 刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。

选项:

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问题 111: 2. 刻蚀因子主要是判定刻蚀过程是各向同性或者各向异性。

选项:

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问题 112: 1. 二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是:

选项:

A. 加快

B. 减缓

C. 不变

D. 不确定

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问题 113: 2. 二氧化硅常用的湿法刻蚀溶液为:

选项:

A. 热磷酸

B. 氢氟酸

C. 硝酸

D. 硫酸

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问题 114: 3. SiO2常用的湿法腐蚀液称为BOE,它的成分包括:

选项:

A. HF

B. NH4F

C. H2O

D. HNO3

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问题 115: 4. 采用化学溶液进行湿法刻蚀时,必须注意产生的物质能够挥发或者溶解,不能出现沉淀物,否则会影响到刻蚀的进行。

选项:

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问题 116: 1. 两种刻蚀方法中,属于各向同性刻蚀的是:

选项:

A. 干法刻蚀

B. 湿法刻蚀

C. 离子刻蚀

D. 溅射刻蚀

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问题 117: 2. 钨的干法刻蚀常用的等离子体为:

选项:

A. Cl*

B. F*

C. Ar*

D. P*

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问题 118: 3. 多晶硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:

选项:

A. Cl*

B. F*

C. Ar*

D. P*

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问题 119: 4. 干法刻蚀需要进行终点检测,常用的检测方法有:

选项:

A. 发射光谱分析法

B. 激光干涉终点检测法

C. 质谱分析法

D. 电流分析法

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问题 120: 5. 湿法刻蚀的选择性比较好,但是为各向异性刻蚀。

选项:

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问题 121: 1. 氧化去胶时,常用的氧化剂是:

选项:

A. H2SO4和H2O2

B. 乙醇

C. 丙酮

D. 甲苯

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问题 122: 2. 去胶时,常常将有金属的表面和无金属表面进行区分,他们采用不同的去胶方法。

选项:

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问题 123: 1. 在某一温度下条件,杂质在硅中的最大溶解度,称为:

选项:

A. 饱和度

B. 最大固溶度

C. 扩散系数

D. 扩散长度

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问题 124: 1. 固态源扩散,通常又称为片状源扩散,是因为扩散之前,一般将硼源或者磷源切成片状。

选项:

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问题 125: 1. 当注入的杂质种类、注入能量、靶材料级注入剂量之后,基本就能够确定杂质的纵向分布。

选项:

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问题 126: 1. 离子源可以将气体电离,产生离子,并通过吸极,形成离子束。

选项:

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问题 127: 1. 高温回流平坦化一般应用于:

选项:

A. 金属间介质

B. 层间介质

C. 金属前介质

D. 金属介质

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问题 128: 2. 将介电材料溶解于有机溶剂中,以旋涂的方式涂抹在晶片表面,利用流态介电材料有很好的台阶填充能力,使晶片获得平坦化的技术是:

选项:

A. 反刻

B. 高温回流

C. 旋涂玻璃法

D. 化学机械抛光

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问题 129: 3. 采用离心力来填充图形地处,温度比较低,能够获得表面形貌的平滑效果的平坦化技术是:

选项:

A. 反刻

B. 高温回流

C. 旋涂玻璃法

D. CMP

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问题 130: 4. 常用的平坦化方法有:

选项:

A. 反刻

B. 高温回流

C. 旋涂玻璃法

D. 化学机械抛光

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问题 131: 1. 常见的芯片粘贴方式为:

选项:

A. 共晶粘贴

B. 焊接粘贴

C. 导电胶粘贴

D. 玻璃胶粘贴

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问题 132: 2. 背面减薄的目的是减少体硅的串联电阻,有利于散热。

选项:

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问题 133: 3. 划片的流程主要包括背面贴膜-金刚石刀锯或激光切割、裂片、挑片、镜检分类。

选项:

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问题 134: 4. 导电胶粘贴的热稳定性好,工艺比较复杂。

选项:

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问题 135: 1. 以下各项不属于严重的键合质量问题的是:

选项:

A. 键合形状不好

B. 漏键

C. 拉力不够

D. 高尔夫球和塌丝

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问题 136: 2. 键合质量的好坏通常通过破坏性实验 进行判定,常见的有键合剪切力实验和

选项:

A. BST

B. 键合拉力测试

C. 表面形貌测试

D. 显微镜测试

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问题 137: 3. 引线键合的参数主要包括:

选项:

A. 键合温度

B. 键合时间

C. 超声功率

D. 键合压力

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问题 138: 4. 根据键合时的加热方式分类,键合分为:

选项:

A. 热压键合

B. 超声键合

C. 热压超声键合

D. 球形键合

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问题 139: 5. 目前常用的键合材料主要有:

选项:

A. 金丝

B. 铝丝

C. 铜丝

D. 钛丝

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问题 140: 6. 根据焊点的形状,引线键合有两种基本形式,分别是球形键合和

选项:

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问题 141: 7. 键合时用到的工具称为毛细管劈刀。

选项:

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问题 142: 1. 将一种由两个或多个以上裸芯片或者CSP封装的芯片组装在一个基板上的模块,组成一个电子系统的封装形式为:

选项:

A. MCM

B. WLP

C. CSP

D. QFN

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问题 143: 2. CSP的含义是:

选项:

A. 芯片尺寸封装

B. 小外型封装

C. 球栅阵列封装

D. 晶圆级封装

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问题 144: 3. WLP的含义是:

选项:

A. 芯片尺寸封装

B. 小外型封装

C. 球栅阵列封装

D. 晶圆级封装

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问题 145: 1. 硅片制造完成后,封装之前检验硅片上每个芯片是否合格的测试是:

选项:

A. 晶圆测试

B. 成品测试

C. 可靠性测试

D. 用户接受测试

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问题 146: 2. 生产前对集成电路进行逻辑设计和物理版图的检验的测试过程为:

选项:

A. 设计验证测试

B. 工艺监控测试

C. 晶圆测试

D. 成品测试

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问题 147: 3. 用户接受测试主要是对集成电路的使用寿命进行测试。

选项:

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问题 148: 4. 晶圆测试是利用测试测试机台、探针台、探针卡之间的组合来测试晶圆上每一个芯片。

选项:

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问题 149: 1. 根据失效变化规律,产品失效期分为:

选项:

A. 早期失效性

B. 偶然失效性

C. 损耗失效性

D. 现场试验期

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问题 150: 2. 工作寿命试验又称老化试验,是为了了解器件寿命的规律。

选项:

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问题 151: 3. 集成电路可靠性是指在一定的时间内,在规定的条件下,完成规定功能的能力。

选项:

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问题 152: 4. 集成电路的失效有很多,例如硅片缺陷、金属化工艺、键合、封装、可移动钠离子沾污以及工作的条件等等。

选项:

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问题 153: 1. SILVACO TCAD软件中,用于仿真工艺参数和工艺结构的模块是:

选项:

A. ATHENA

B. ATLAS

C. CADENCE

D. SPECTRE

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问题 154: 1. 双极集成电路常常采用何种方式进行隔离?

选项:

A. PN结隔离

B. 绝缘介质隔离

C. 二氧化硅隔离

D. 氮化硅隔离

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问题 155: 2. PN结隔离扩散时,必须要穿透整个外延层。

选项:

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问题 156: 3. PN结隔离采用一般P+区域,且隔离区必须加最高电位。

选项:

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问题 157: 1. MOS管中常用作栅的材料是:

选项:

A. SiO2

B. Al

C. 多晶硅

D. Si3N4

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问题 158: 2. 在MOS集成电路中常常用到的隔离方式是:

选项:

A. PN结隔离

B. 绝缘介质隔离

C. 多晶硅隔离

D. 氮化硅隔离

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问题 159: 3. 在MOS管制作过程中,淀积氮化硅之前经常要先制作一层薄氧,作用是:

选项:

A. 作为栅氧

B. 作为场氧

C. 增强氮化硅与衬底硅的粘附性

D. 隔离

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问题 160: 1. LOCOS 容易出现鸟嘴效应。

选项:

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问题 161: 2. 钝化层就是在晶圆表面覆盖一层保护层。

选项:

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